Estudo comparativo e simulação de memórias digitais: EEPROM, FLASH, RAM
Resumo
A hierarquia de memória é um pilar da arquitetura de computadores, definida pelo trade-off entre memórias voláteis (RAM) e não-voláteis (NVM). Este artigo apresentou uma análise das tecnologias SRAM, DRAM, EEPROM e FLASH, com foco em suas arquiteturas e trade-offs de aplicação. O objetivo foi revisar os princípios operacionais que diferenciam essas memórias e validar experimentalmente a arquitetura da SRAM. A metodologia foi um projeto prático e simulatório de uma memória SRAM 16x8 no simulador lógico Logisim. Os resultados experimentais validaram a funcionalidade de leitura e escrita da SRAM simulada e demonstraram sua alta complexidade lógica, o que justifica seu alto custo e baixa densidade. O estudo conclui que a simulação validou com sucesso os princípios teóricos da SRAM, reforçando que a seleção da memória é um trade-off fundamental entre granularidade (EEPROM), densidade (FLASH) e velocidade (SRAM).
